Bidhaa
DIODE EXS SERIES LASER KATIKA 635nm EMDL-XS-635/1~100mW
Maombi:
Utambuzi wa matibabu, microscopy ya confocal
Chombo cha macho, utafiti wa kisayansi
Upimaji na udhibiti, kutafuta mwelekeo na maagizo
Mchapishaji wa laser, onyesho la laser
Ukaguzi wa Chip, upimaji wa kasi ya Ion
Uchambuzi wa wigo, mlolongo wa DNA
| Urefu wa kati wa wimbi(nm) | 635±5 |
| Hali ya uendeshaji | CW |
| Nguvu ya pato (mW) | >1,10,20,…,100 |
| Uthabiti wa nguvu (rms, zaidi ya masaa 4) | <3%,<2%,<1% |
| Hali ya kuvuka | KaribuTEM00 |
| Kelele ya amplitude(rms,20Hz~20MHz) | <1%(<0.5%,ya hiari) |
| Sababu ya M2 | <1.2 |
| Kipenyo cha boriti kwenye tundu (1/e2,mm) | ~1.2 |
| Tofauti ya boriti,fulllangle(mrad) | <1.0 |
| Uwiano wa polarization | >50:1(>100:1,ya hiari) |
| Mlalo ±5degree(WimaSi lazima) | |
| Wakati wa joto (dakika) | <5 |
| Urefu wa boriti kutoka bati la msingi(mm) | 19 |
| Halijoto ya uendeshaji(℃) | 10-35 |
| Voltage ya uendeshaji | DC12V4A |
| Urekebishaji | DOD(TTL)upto1MHz |
| AMOD(Analogi)hadi100kHz | |
| DMOD+AMOD(TTL+Analogi) | |
| Maisha yanayotarajiwa (saa) | 10000 |
| Udhamini | 1 mwaka |
Andika ujumbe wako hapa na ututumie
